久久一区二区三区不卡,国产亚洲sss在线播放,欧美怡红院免费的全部视频,婷婷在线免费视频,日本美女胸膜香蕉视频,解开杨幂的胸罩视频,罗晋唐嫣结婚视频

中文 EN
首頁
關(guān)于我們
新品發(fā)布
1200V 80 mΩ SIC MOSFET
1200V 80 mΩ SIC MOSFET 返回
 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.近年來PV逆變器市場進入高速發(fā)展期，對碳化硅功率器件的需求迅速增大，碳化硅二極管和MOSFET應(yīng) 用于BOOST電路中時，可以提高系統(tǒng)的開關(guān)速度，從而可以優(yōu)化整個系統(tǒng)的能耗和體積；
2.碳化硅 MOSFET為匹配PV行業(yè)客戶需求，開關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對標行業(yè)最佳；
3.不僅適用于常規(guī)開關(guān)應(yīng)用，還滿足控制要求高的高壓高速開關(guān)應(yīng)用，采用環(huán)保物料，符合RoHS標準；
產(chǎn)品特點 1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)；單極性器件,開關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應(yīng)用條件；
2.采用先進的減薄工藝，使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性，減小器件能量損耗；
3.產(chǎn)品封裝類型有TO-247-3L，TO-247-4L等多種封裝形式可選；
4.通過行業(yè)嚴苛的可靠性認證，包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試。
規(guī)格書

YJD212080NCFG1

相關(guān)新品

順應(yīng)扁平化趨勢的全新插件整流橋-JC

TOLL封裝 SiC MOSFET

三相整流模塊N5/N6產(chǎn)品

針對高傳輸速率信號口的ESD防護方案

3GBJ三相插件橋封裝新品

用于光伏微逆變、工業(yè)電源、服務(wù)器電源的SJ MOSFET

IGBT 高性能微溝槽單管產(chǎn)品——光儲充新能源應(yīng)用

用于手機電路板的DFN1608封裝小信號肖特基二極管

SOD-123FL封裝功率ESD

IGBT 中低頻系列C3模塊

Privacy Cookies 本網(wǎng)站使用瀏覽器紀錄 Cookies 來優(yōu)化您的使用體驗，相關(guān)信息請訪問我們的法律聲明與隱私聲明。如果您選擇繼續(xù)瀏覽這個提示，便表示您已接受我們網(wǎng)站的使用條款。